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以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物(包括AlN、GaN、InN及相關合金)是極為重要的寬禁帶半導體材料,這類氮化物材料和器件的發展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗範例相結合的方式對氮化物半導體材料... more